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IRFU120NPBF  与  IRFU120N  区别

型号 IRFU120NPBF IRFU120N
唯样编号 A-IRFU120NPBF A-IRFU120N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-251AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 210mΩ@5.6A,10V 210mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 IPAK(TO-251) IPAK (TO-251)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 9.4A 5.8A
Ptot max - 39.0W
QG - 16.7nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.25
RthJC max - 3.2K/W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 7.3nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAK(TO-251)

暂无价格 3,000 当前型号
IRFU120N Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPAK(TO-251)

暂无价格 0 对比

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