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IRFZ44VZSPBF  与  STB60NF06LT4  区别

型号 IRFZ44VZSPBF STB60NF06LT4
唯样编号 A-IRFZ44VZSPBF A-STB60NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 - 220 ns
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
栅极电压Vgs - ±15V
封装/外壳 - D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 57A 60A
配置 - Single
长度 10.67mm 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
每片芯片元件数目 1 Ohms -
下降时间 - 30 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
高度 4.83mm 4.6 mm
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 35 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 92W 110W(Tc)
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 14 ns 35 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44VZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 当前型号
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