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IRFZ44ZPBF  与  IRLZ24NPBF  区别

型号 IRFZ44ZPBF IRLZ24NPBF
唯样编号 A-IRFZ44ZPBF A-IRLZ24NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 80 W 29 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ@31A,10V 60mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 80W(Tc) 45W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 51A 18A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 25V 480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V 15nC @ 5V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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