IRFZ48NSTRLPBF 与 RSJ400N06FRATL 区别
| 型号 | IRFZ48NSTRLPBF | RSJ400N06FRATL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFZ48NSTRLPBF | A3-RSJ400N06FRATL |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 3.8 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ@32A,10V | 11mΩ |
| 上升时间 | - | 60ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 52nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V |
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 64A | 40A,40A |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 140ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1970pF @ 25V | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),130W(Tc) | 50W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 90ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1970pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 81nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 81nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 125 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ48NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@32A,10V N-Channel 55V 64A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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RSJ400N06FRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A,40A 50W 11mΩ 60V 1V D2PAK-3 车规 |
暂无价格 | 125 | 对比 |
|
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK7611-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 166W 175°C 3V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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