IRL1004PBF 与 PSMN8R0-40PS,127 区别
| 型号 | IRL1004PBF | PSMN8R0-40PS,127 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL1004PBF | A-PSMN8R0-40PS,127 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.5mΩ@78A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | 86W |
| 输出电容 | - | 327pF |
| 栅极电压Vgs | ±16V | 3V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | SOT78 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 130A | 77A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5330pF @ 25V | - |
| 输入电容 | - | 1262pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 7.6mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5330pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRL1004PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@78A,10V N-Channel 40V 130A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN8R0-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 86W 175°C 3V 40V 77A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 40V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP039N04L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
40V 80A 3.9mΩ@80A,10V ±20V 94W N-Channel -55°C~175°C TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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