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IRL2910PBF  与  IRL2910  区别

型号 IRL2910PBF IRL2910
唯样编号 A-IRL2910PBF A-IRL2910
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 200 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@29A,10V 26mΩ
栅极电压Vgs ±16V 16V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C -
连续漏极电流Id 55A 48A
Ptot max - 200.0W
QG - 93.3nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.86
RthJC max - 0.75K/W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 54.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 5V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL2910PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP40NF10L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78

¥14.339 

阶梯数 价格
20: ¥14.339
50: ¥11.7533
0 对比
PSMN016-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100PS_SOT78

¥11.4658 

阶梯数 价格
20: ¥11.4658
50: ¥9.3982
0 对比
STP40NF10L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRL2910 Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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