首页 > 商品目录 > > > > IRL530NSTRRPBF代替型号比较

IRL530NSTRRPBF  与  IRL530NSTRLPBF  区别

型号 IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRLPBF
唯样编号 A-IRL530NSTRRPBF A-IRL530NSTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.8 W 34 nC Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@9A,10V 100mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),79W(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL530NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRL530NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售