IRL6372TRPBF 与 AO4822A 区别
| 型号 | IRL6372TRPBF | AO4822A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRL6372TRPBF | A36-AO4822A-2 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 2W | 2W |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 8A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1020pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | 19mΩ@8A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 7 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥2.688
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6,699 | 对比 | ||||||||||||
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AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.656
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
￥1.56
|
923 | 对比 | ||||||||||||
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 7 | 对比 | ||||||||||||
|
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 3 | 对比 |
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