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IRLB3034PBF  与  IRL1404ZPBF  区别

型号 IRLB3034PBF IRL1404ZPBF
唯样编号 A-IRLB3034PBF A-IRL1404ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 40 V 5.9 mOhm 110 nC 230 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.7mΩ@195A,10V 3.1mΩ@75A,10V
上升时间 827ns -
Qg-栅极电荷 108nC -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
正向跨导 - 最小值 286S -
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 343A 200A
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 355ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10315pF @ 25V 5080pF @ 25V
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 375W 230W(Tc)
典型关闭延迟时间 97ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 10315pF @ 25V 5080pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 162nC @ 4.5V 110nC @ 5V
典型接通延迟时间 65ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 162nC @ 4.5V 110nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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