IRLHM630TRPBF 与 RS1E240GNTB 区别
| 型号 | IRLHM630TRPBF | RS1E240GNTB | ||||
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| 唯样编号 | A-IRLHM630TRPBF | A32-RS1E240GNTB-2 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 37 W 41 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | 3.3mm | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5mΩ | 3.3mΩ@24A,10V | ||||
| 上升时间 | 32ns | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 41nC | - | ||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 140S | - | ||||
| 封装/外壳 | PQFN(3x3) | 8-PowerTDFN | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 40A | 24A(Ta) | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 长度 | 3.3mm | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | 4.5V,10V | ||||
| 下降时间 | 43ns | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 50µA | 2.5V @ 1mA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3170pF @ 25V | 1500pF @ 15V | ||||
| 高度 | 1.05mm | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W | 3W(Ta),27.4W(Tc) | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 65ns | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 50µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3170pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 62nC @ 4.5V | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 9.1ns | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 62nC @ 4.5V | 23nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 300 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRLHM630TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PQFN(3x3) 30V 40A 3.5mΩ 12V 2.7W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥5.0116
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥5.0116
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2,300 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥6.1999
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480 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥11.2001
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300 | 对比 | ||||||||||||||
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RS1E240GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),27.4W(Tc) 3.3mΩ@24A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A(Ta) |
￥10.784
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300 | 对比 |
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