IRLML0100TRPBF 与 DMN10H220L-7 区别
| 型号 | IRLML0100TRPBF | DMN10H220L-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML0100TRPBF | A36-DMN10H220L-7 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@1.6A,10V | 220mΩ@1.6A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W | 1.3W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±16V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 1.6A | 1.6A | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 401pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 156 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 1.6A |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||
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DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.3W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 1.6A |
￥0.8261
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156 | 对比 | ||||
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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