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IRLML2803TRPBF  与  DMN100-7-F  区别

型号 IRLML2803TRPBF DMN100-7-F
唯样编号 A-IRLML2803TRPBF A3-DMN100-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@910mA,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 500mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 240mΩ@1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 150 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.5 nC @ 10 V
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SC-59-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 1.2A 1.1A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 85pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,000 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 32,000 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
DMN100-7-F Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SC-59-3

暂无价格 3,000 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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