IRLML2803TRPBF 与 FDV303N 区别
| 型号 | IRLML2803TRPBF | FDV303N | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRLML2803TRPBF | A36-FDV303N | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 | N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 350mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@910mA,10V | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 25V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | 350mW(Ta) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±8V | ||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.2A | 680mA(Ta) | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 85pF @ 25V | 50pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V | 2.3nC @ 4.5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 2.7V,4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 85pF @ 25V | 50pF @ 10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V | 2.3nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 27,221 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML2803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1.4A(Ta) ±20V 625mW(Ta) 220mΩ@910mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V |
￥1.0604
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32,560 | 对比 | ||||||||||
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FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4108
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27,221 | 对比 | ||||||||||
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FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN3300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥0.7139
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1,415 | 对比 | ||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
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205 | 对比 |
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