IRLML5103TRPBF 与 BSH202,215 区别
| 型号 | IRLML5103TRPBF | BSH202,215 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML5103TRPBF | A-BSH202,215 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@600mA,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | SOT23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 0.76A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 75pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.1nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 75pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.1nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML5103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
BSH202,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
BSH203,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.417W -55°C~150°C ±8V -30V -0.47A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRLML6302TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@610mA,4.5V P-Channel 20V 0.78A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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