首页 > 商品目录 > > > > IRLML6246TRPBF代替型号比较

IRLML6246TRPBF  与  RUR040N02TL  区别

型号 IRLML6246TRPBF RUR040N02TL
唯样编号 A-IRLML6246TRPBF A-RUR040N02TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@4.1A,4.5V 35mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A 4A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 16V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 5µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 16V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 5µA 1.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 16V 680pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4.5V 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥4.0841
100+ :  ¥2.1809
3,000+ :  ¥1.5768
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

暂无价格 100 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥4.0841 

阶梯数 价格
1: ¥4.0841
100: ¥2.1809
3,000: ¥1.5768
30 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售