IRLML6346TRPBF 与 DMG3406L-13 区别
| 型号 | IRLML6346TRPBF | DMG3406L-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLML6346TRPBF | A36-DMG3406L-13 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63mΩ@3.4A,4.5V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | 770mW(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@3.6A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 495 pF @ 15 V | ||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 11.2 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.4A | 3.6A(Ta) | ||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 24V | - | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - | ||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF @ 24V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC @ 4.5V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,457 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.6019
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42,114 | 对比 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.533
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5,560 | 对比 | ||||||||||
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥0.9504
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.6622
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2,457 | 对比 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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