IRLML6402TRPBF 与 PMV50UPE,215 区别
| 型号 | IRLML6402TRPBF | PMV50UPE,215 | ||||
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| 唯样编号 | A-IRLML6402TRPBF | A3n-PMV50UPE,215 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 | MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 1.3W | 0.5W | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||
| 输出电容 | - | 106pF | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±8V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 3.7A | -3.7A | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 633pF @ 10V | - | ||||
| 输入电容 | - | 24pF | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 5V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 65mΩ@3.7A,4.5V | 66mΩ@3.2A,4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 300,000 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A |
¥0.5765
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300,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTR4101PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A |
¥0.6972
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74,730 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel |
¥3.408
|
9,637 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5A 1.4W 52mΩ@4.2A,4.5V 20V ±8V P-Channel |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A |
¥3.9174
|
599 | 对比 |