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IRLMS2002TRPBF  与  DMG6402LVT-7  区别

型号 IRLMS2002TRPBF DMG6402LVT-7
唯样编号 A-IRLMS2002TRPBF A-DMG6402LVT-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@6.5A,4.5V 30mΩ
上升时间 - 6.2ns
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.75W
Qg-栅极电荷 - 11.4nC
栅极电压Vgs ±12V 1.5V
典型关闭延迟时间 - 13.9ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 Micro6™(SOT23-6) TSOT-26
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A 6A
系列 HEXFET® DMG6402
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V 498pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 5V 11.4nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1310pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLMS2002TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(SOT23-6)

暂无价格 0 当前型号
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 24,000 对比
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 对比

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