IRLR024NTRPBF 与 DMN6068LK3-13 区别
| 型号 | IRLR024NTRPBF | DMN6068LK3-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR024NTRPBF | A36-DMN6068LK3-13 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@10A,10V | 68mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 10.8ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.3nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | 1V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 19.7S | ||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 8.5A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 8.7ns | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 480pF @ 25V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | 8.49W | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 11.9ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | DMN6068 | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 480pF @ 25V | 502pF @ 30V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 5V | 10.3nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.6ns | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 9,864 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
￥1.705
|
9,864 | 对比 | ||||||||||||||
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STD20NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||||||
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.683
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4,028 | 对比 | ||||||||||||||
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥4.705
|
1,896 | 对比 |
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