IRLR3114ZTRPBF 与 STD86N3LH5 区别
| 型号 | IRLR3114ZTRPBF | STD86N3LH5 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR3114ZTRPBF | A3-STD86N3LH5 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 40 V 140 W 40 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.9mΩ@42A,10V | 5mΩ |
| 上升时间 | - | 14 ns |
| 漏源极电压Vds | 40V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 70W(Tc) |
| 70 W | - | Pd - 功率消耗 |
| 标准包装数量 | - | 2500 |
| 栅极电压Vgs | ±16V | 22V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D-Pak | DPAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 130A | 80A |
| 系列 | HEXFET® | STripFET™ V |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 250µA |
| 标准断开延迟时间 | - | 23.6 ns |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3810pF @ 25V | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 4.5V | 14nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 5V,10V |
| 下降时间 | - | 10.8 ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3810pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3114ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@42A,10V N-Channel 40V 130A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD86N3LH5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD86N3LH5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK9207-30B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 1.5V 30V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
