IRLR3410TRLPBF 与 STD6NF10T4 区别
| 型号 | IRLR3410TRLPBF | STD6NF10T4 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRLR3410TRLPBF | A36-STD6NF10T4 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | 100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 79W(Tc) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 17A | - | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 800pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 800pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 105mΩ@10A,10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLR3410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥5.187
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V |
￥2.444
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706 | 对比 | ||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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