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IRLR3410TRRPBF  与  AUIRLR3410TRL  区别

型号 IRLR3410TRRPBF AUIRLR3410TRL
唯样编号 A-IRLR3410TRRPBF A-AUIRLR3410TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 52 W 34 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3 AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm 17 A Hexfet Power Mosfet - TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® 汽车级,AEC-Q101,HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD478 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
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6.5mm

暂无价格 0 对比
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TO-252,(D-Pak)

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