首页 > 商品目录 > > > > IRLR3915TRPBF代替型号比较

IRLR3915TRPBF  与  BUK9215-55A,118  区别

型号 IRLR3915TRPBF BUK9215-55A,118
唯样编号 A-IRLR3915TRPBF A-BUK9215-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 17 mOhm 92 nC 120 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@30A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 120W(Tc) 115W
输出电容 - 380pF
栅极电压Vgs ±16V 1.5V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak SOT428
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 61A 62A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V -
输入电容 - 2190pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 13.6mΩ@10V,16.6mΩ@4.5V,15mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3915TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@30A,10V N-Channel 55V 61A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
BUK7212-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A

暂无价格 2,299 对比
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK7215-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 115W 175°C 3V 55V 62A

暂无价格 0 对比
BUK9215-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 115W 175°C 1.5V 55V 62A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售