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IRLR7843TRPBF  与  IPD031N03LGATMA1  区别

型号 IRLR7843TRPBF IPD031N03LGATMA1
唯样编号 A-IRLR7843TRPBF A-IPD031N03LGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 140 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@15A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5300pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 161A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.1 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR7843TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
IPD90N03S4L-03 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N03S4L03ATMA1_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比
IRLR7843TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD031N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD031N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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