IRLR9343TRPBF 与 DMP6180SK3-13 区别
| 型号 | IRLR9343TRPBF | DMP6180SK3-13 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR9343TRPBF | A36-DMP6180SK3-13 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||
| 描述 | P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK) | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 79W(Tc) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | D-PAK(TO-252AA) | TO-252(DPAK) | ||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 20A | - | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 660pF @ 50V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 660pF @ 50V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 105mΩ@3.4A,10V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 111 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥1.4122
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10,411 | 对比 | ||||||
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DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||
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DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
￥1.914
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111 | 对比 | ||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||
|
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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