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L2N7002KLT1G  与  2N7002K-T1-GE3  区别

型号 L2N7002KLT1G 2N7002K-T1-GE3
唯样编号 A-L2N7002KLT1G A3t-2N7002K-T1-GE3-3
制造商 LRC Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 0.32W 0.35W
宽度 - 1.60mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Qg-栅极电荷 - 0.4nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 35ns
正向跨导 - 最小值 - 100mS
FET类型 N-Channel(ESD) -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
连续漏极电流Id 0.32A 300mA
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 L2N 2N7002K
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 30pF @ 25V
长度 - 2.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
典型接通延迟时间 - 25ns
导通电阻Rds(On) 2.3Ω@500mA,10V
高度 - 1.45mm
库存与单价
库存 16,144 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.1683
100+ :  ¥0.1185
1,000+ :  ¥0.0878
1,500+ :  ¥0.072
3,000+ :  ¥0.0626
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
L2N7002KLT1G LRC  数据手册 小信号MOSFET

0.32A SOT-23 60V 0.32W 2.3Ω@500mA,10V N-Channel(ESD) -55°C~150°C ±20V

¥0.1683 

阶梯数 价格
1: ¥0.1683
100: ¥0.1185
1,000: ¥0.0878
1,500: ¥0.072
3,000: ¥0.0626
16,144 当前型号
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 33,000 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 11 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 对比
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 对比

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