NDS9407 与 RS1L151ATTB1 区别
| 型号 | NDS9407 | RS1L151ATTB1 | ||||||
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| 唯样编号 | A-NDS9407 | A32-RS1L151ATTB1-1 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 60 V 150 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | - | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 3W(Ta) | ||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 6900 pF @ 30 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-PowerTDFN | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 130 nC @ 10 V | ||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 732pF @ 30V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 11.3 毫欧 @ 15A,10V | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 56A(Tc) | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60 V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 150m Ohms@3A,10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,490 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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NDS9407 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 150m Ohms@3A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 3.2A 120mΩ |
暂无价格 | 4 | 对比 | ||||||||
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SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 3.2A 120mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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RS1L151ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥12.6844
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2,490 | 对比 | ||||||||
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RS1L151ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥20.7747
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38 | 对比 |
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