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NDS9407  与  RS1L151ATTB1  区别

型号 NDS9407 RS1L151ATTB1
唯样编号 A-NDS9407 A3x-RS1L151ATTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 150 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 150m Ohms@3A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6900 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 3A -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130 nC @ 10 V
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 732pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.3 毫欧 @ 15A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 56A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS9407 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
RS1L151ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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