NTR4101PT1G 与 AO3419 区别
| 型号 | NTR4101PT1G | AO3419 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTR4101PT1G-3 | A-AO3419 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85m Ohms@1.6A,4.5V | 85mΩ@3.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 102mΩ | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 420mW(Ta) | 1.4W | ||||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | - | 140mΩ | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | 12V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.2A | -3.5A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 675pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,775 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTR4101PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 27,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 3,440 | 对比 | ||||||||||||
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SI2305B-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI2301-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO3419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -20V 12V -3.5A 1.4W 85mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.5128
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2,775 | 对比 |
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