NTS4101PT1G 与 DMP2160UW-7 区别
| 型号 | NTS4101PT1G | DMP2160UW-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-NTS4101PT1G-1 | A36-DMP2160UW-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 1.37A（Ta） 329mW（Ta） SC-70-3（SOT323） | DMP2160UW Series 20 V 100 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-323 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.5A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@1.5A,4.5V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 627pF @ 10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350mW(Ta) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,430 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTS4101PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-323 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±6V 310mW(Ta) 750mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.82A |
暂无价格 | 33,000 | 对比 | ||||||||||
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DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 350mW(Ta) 100mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 1.5A |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 350mW(Ta) 100mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 1.5A |
￥0.5759
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5,430 | 对比 | ||||||||||
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DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±6V 310mW(Ta) 750mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.82A |
￥0.4186
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2,780 | 对比 | ||||||||||
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BSS223PW H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 390mA 2.1Ω -2.5V 250mW P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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