NTZD3154NT1G 与 DMN2990UDJ-7 区别
| 型号 | NTZD3154NT1G | DMN2990UDJ-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-NTZD3154NT1G | A36-DMN2990UDJ-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET - 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装型 SOT-563 | Dual N-Channel 20 V 990 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-963 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-963 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.45A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 990mΩ@100mA,4.5V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 27.6pF @ 16V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350mW | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.5nC @ 4.5V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,462 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-563 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-563 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.33A |
￥0.4728
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9,100 | 对比 | ||||||||||
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DMN2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
990mΩ@100mA,4.5V 350mW -55°C~150°C(TJ) SOT-963 N-Channel 20V 0.45A |
￥0.6193
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4,462 | 对比 | ||||||||||
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DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 250mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 N-Channel 20V 0.54A |
￥0.5109
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1,969 | 对比 | ||||||||||
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DMN2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
990mΩ@100mA,4.5V 350mW -55°C~150°C(TJ) SOT-963 N-Channel 20V 0.45A |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||
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DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-563 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.33A |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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