NVD5117PLT4G-VF01 与 IRFR3710ZTRPBF 区别
| 型号 | NVD5117PLT4G-VF01 | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NVD5117PLT4G-VF01 | A-IRFR3710ZTRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 18mΩ@33A,10V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 140W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO252 | TO-252-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 56A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 100nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2930pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 100nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD45N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STD45N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFR3710ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOD2910 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 31A 53.5W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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