NVD6416ANLT4G-VF01 与 ZXMN10A09KTC 区别
| 型号 | NVD6416ANLT4G-VF01 | ZXMN10A09KTC | ||||
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| 唯样编号 | A-NVD6416ANLT4G-VF01 | A36-ZXMN10A09KTC | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | NVD6416ANL Series 100 V 19 A 74 mOhm SMT N-Channel Power MOSFET - DPAK-3 | MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 5A(Ta) | ||||
| 驱动电压 | - | 6V,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.15W(Ta) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 85mΩ@4.6A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1313 pF @ 50 V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 26 nC @ 10 V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 266 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 5A(Ta) |
￥3.344
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266 | 对比 | ||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BUK9275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 88W 175°C 1.5V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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