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NVMFS5113PLT1G  与  RS1L151ATTB1  区别

型号 NVMFS5113PLT1G RS1L151ATTB1
唯样编号 A-NVMFS5113PLT1G A3x-RS1L151ATTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6900 pF @ 30 V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130 nC @ 10 V
工作温度 - 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.3 毫欧 @ 15A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 56A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFS5113PLT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 当前型号
NVMFS5113PLWFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比
NTMFS5113PLT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
RS1L151ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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