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NVMFS6H852NLT1G  与  NTMFS6H852NLT1G  区别

型号 NVMFS6H852NLT1G NTMFS6H852NLT1G
唯样编号 A-NVMFS6H852NLT1G A-NTMFS6H852NLT1G-1
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) DFN-5(5.9x4.9)
工作温度 - -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 42A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.1mΩ@10A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 54W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 4,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFS6H852NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 当前型号
NTMFS6H852NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

13.1mΩ@10A,10V ±20V DFN-5(5.9x4.9) -55°C~175°C 42A 80V 54W N-Channel

暂无价格 4,500 对比
NTMFS6H852NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

13.1mΩ@10A,10V ±20V DFN-5(5.9x4.9) -55°C~175°C 42A 80V 54W N-Channel

暂无价格 0 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 130 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

¥25.2688 

阶梯数 价格
6: ¥25.2688
7 对比
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 0 对比

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