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NVTFS5116PLTWG  与  NVTFS5116PLTAG  区别

型号 NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTAG
唯样编号 A-NVTFS5116PLTWG A3-NVTFS5116PLTAG
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.2W(Ta),21W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52 毫欧 @ 7A,10V
漏源极电压Vds - 60V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) WDFN
连续漏极电流Id - 6A
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1258pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

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NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor 功率MOSFET

WDFN

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