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PMDPB30XN,115  与  SSM6N61NU,LF  区别

型号 PMDPB30XN,115 SSM6N61NU,LF
唯样编号 A-PMDPB30XN,115 A-SSM6N61NU,LF
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2W
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.49W -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 33 毫欧 @ 4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 10V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
输出电容 87pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 3.6nC @ 4.5V
封装/外壳 SOT1118 6-UDFNB(2x2)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.3A 4A
输入电容 660pF -
FET功能 - 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
Rds On(max)@Id,Vgs 40mΩ@3A,4.5V -
库存与单价
库存 35 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥2.1678
100+ :  ¥1.6058
1,000+ :  ¥1.2448
1,500+ :  ¥1.0203
3,000+ :  ¥0.9192
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB30XN,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDPB30XN_SOT1118

¥2.1678 

阶梯数 价格
10: ¥2.1678
100: ¥1.6058
1,000: ¥1.2448
1,500: ¥1.0203
3,000: ¥0.9192
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