PMDPB30XN,115 与 DMN2050LFDB-7 区别
| 型号 | PMDPB30XN,115 | DMN2050LFDB-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDPB30XN,115 | A36-DMN2050LFDB-7 |
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 45mΩ@5A,4.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 389pF @ 10V |
| 输出电容 | 87pF | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 12nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT1118 | U-DFN2020-6(B 类) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 3.3A |
| 输入电容 | 660pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 40mΩ@3A,4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 24 | 20 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
暂无价格 | 24 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 45,465 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN2050LFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55°C~150°C(TJ) 20V 3.3A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDME1024NZT | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 66m Ohms@3.4A,4.5V 600mW -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(1.6x1.6) MicroFET N-Channel 20V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥7.4157
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3,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥4.1095
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3,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
