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PMDPB56XNEAX  与  UT6K3TCR  区别

型号 PMDPB56XNEAX UT6K3TCR
唯样编号 A-PMDPB56XNEAX A32-UT6K3TCR-4
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 0.485W 2W
输出电容 31pF -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT1118 HUML2020L8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.1A 5.5A
输入电容 256pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 72mΩ@3.1A,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,500
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥7.4157
50+ :  ¥6.0078
100+ :  ¥4.2631
200+ :  ¥4.2432
500+ :  ¥3.5592
1,000+ :  ¥3.2221
3,000+ :  ¥2.5778
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB56XNEAX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1118 N-Channel 0.485W -55°C~150°C ±12V 30V 3.1A 车规

暂无价格 0 当前型号
AON2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.5W 44mΩ@2A,10V -55°C~150°C

¥3.3333 

阶梯数 价格
1: ¥3.3333
100: ¥2.6531
1,000: ¥1.9118
1,500: ¥1.6456
3,000: ¥1.3
2,398 对比
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55°C~150°C(TJ) 30V 6.2A 车规

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.65
750: ¥1.463
1,064 对比
AON2802 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.1W 60mΩ@10V

暂无价格 0 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥7.4157 

阶梯数 价格
5: ¥7.4157
50: ¥6.0078
100: ¥4.2631
200: ¥4.2432
500: ¥3.5592
1,000: ¥3.2221
3,000: ¥2.5778
3,500 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥4.1095 

阶梯数 价格
10: ¥4.1095
100: ¥2.4174
500: ¥2.1756
1,000: ¥1.9339
3,000: ¥1.6116
3,000 对比

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