PMDPB56XNEAX 与 SSM6N55NU,LF 区别
| 型号 | PMDPB56XNEAX | SSM6N55NU,LF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMDPB56XNEAX | A36-SSM6N55NU,LF | ||||
| 制造商 | Nexperia | Toshiba | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 0.485W | - | ||||
| 功率 | - | 1W | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 46 毫欧 @ 4A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 280pF @ 15V | ||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 100uA | ||||
| 输出电容 | 31pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 2.5nC @ 4.5V | ||||
| 封装/外壳 | SOT1118 | 6-uDFN(2x2) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 3.1A | 4A | ||||
| 输入电容 | 256pF | - | ||||
| FET功能 | - | 逻辑电平门 | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 72mΩ@3.1A,4.5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 10 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMDPB56XNEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 72mΩ@3.1A,4.5V 0.485W -55°C~150°C ±12V 30V 3.1A 车规 |
￥2.0689
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON2810 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.5W 44mΩ@2A,10V -55°C~150°C |
￥3.3333
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2,398 | 对比 | ||||||||||||
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SSM6N55NU,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 6-uDFN(2x2) 150°C(TJ) 30V 4A |
￥6.672
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10 | 对比 | ||||||||||||
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AON2802 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2 N-Channel 30V 12V 2A 2.1W 60mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥2.4229
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥1.6145
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0 | 对比 |
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