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PMDPB95XNE2X  与  UT6K3TCR  区别

型号 PMDPB95XNE2X UT6K3TCR
唯样编号 A-PMDPB95XNE2X A32-UT6K3TCR-2
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.51W 2W
输出电容 31pF -
栅极电压Vgs 12V,1V -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT1118 HUML2020L8
工作温度 150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.7A 5.5A
输入电容 258pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 117mΩ@2.5V,89mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥4.1095
100+ :  ¥2.4174
500+ :  ¥2.1756
1,000+ :  ¥1.9339
3,000+ :  ¥1.6116
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB95XNE2X Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1118 N-Channel 0.51W 150°C 12V,1V 30V 3.7A

暂无价格 0 当前型号
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥7.4157 

阶梯数 价格
5: ¥7.4157
50: ¥6.0078
100: ¥4.2631
200: ¥4.2432
500: ¥3.5592
1,000: ¥3.2221
3,000: ¥2.5778
3,500 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥4.1095 

阶梯数 价格
10: ¥4.1095
100: ¥2.4174
500: ¥2.1756
1,000: ¥1.9339
3,000: ¥1.6116
3,000 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥4.1095 

阶梯数 价格
10: ¥4.1095
100: ¥2.4174
500: ¥2.1756
1,000: ¥1.9339
3,000: ¥1.6116
3,000 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥3.9567 

阶梯数 价格
10: ¥3.9567
100: ¥2.3275
500: ¥2.0947
1,000: ¥1.862
3,000: ¥1.5517
3,000 对比
UT6K3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8

¥2.9323 

阶梯数 价格
60: ¥2.9323
100: ¥2.3956
300: ¥1.9932
500: ¥1.9165
1,000: ¥1.859
2,913 对比

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