首页 > 商品目录 > > > > PMPB100ENEX代替型号比较

PMPB100ENEX  与  RF4E070GNTR  区别

型号 PMPB100ENEX RF4E070GNTR
唯样编号 A-PMPB100ENEX A-RF4E070GNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6 30V, 7A, 21.4 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 21.4mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W(Ta)
输出电容 34pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 HUML
工作温度 175℃ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.1A 7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 157pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 220pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
580+ :  ¥1.4727
1,000+ :  ¥1.1416
1,500+ :  ¥0.9357
3,000+ :  ¥0.843
1+ :  ¥4.5741
100+ :  ¥2.6438
1,500+ :  ¥1.6762
3,000+ :  ¥1.2119
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB100ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB100ENE_SOT1220

¥1.4727 

阶梯数 价格
580: ¥1.4727
1,000: ¥1.1416
1,500: ¥0.9357
3,000: ¥0.843
0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

暂无价格 12,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥4.7619 

阶梯数 价格
1: ¥4.7619
100: ¥2.7524
1,500: ¥1.745
3,000: ¥1.2616
100 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

¥4.5741 

阶梯数 价格
1: ¥4.5741
100: ¥2.6438
1,500: ¥1.6762
3,000: ¥1.2119
100 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

暂无价格 100 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

暂无价格 100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售