尊敬的客户:端午节6月19日至6月21日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > PMPB100ENEX代替型号比较

PMPB100ENEX  与  RF4E070BNTR  区别

型号 PMPB100ENEX RF4E070BNTR
唯样编号 A-PMPB100ENEX A33-RF4E070BNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W 2W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
输出电容 34pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 HUML2020L8
工作温度 175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.1A 7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 157pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V 28.6mΩ@7A,10V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥1.9165
100+ :  ¥1.7728
300+ :  ¥1.3799
500+ :  ¥1.2937
1,000+ :  ¥1.2362
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB100ENEX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 N-Channel 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A

暂无价格 0 当前型号
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.2961 

阶梯数 价格
40: ¥1.2961
200: ¥0.9958
1,500: ¥0.8671
3,000: ¥0.806
3,000 对比
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel ±20V 2W(Ta) 28.6mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML2020L8 30V 7A

¥1.9165 

阶梯数 价格
80: ¥1.9165
100: ¥1.7728
300: ¥1.3799
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2362
3,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.3094 

阶梯数 价格
70: ¥2.3094
100: ¥2.0124
300: ¥1.6195
500: ¥1.5332
1,000: ¥1.4757
2,597 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.6927 

阶梯数 价格
60: ¥2.6927
100: ¥2.2519
300: ¥1.8495
500: ¥1.7728
1,000: ¥1.7153
2,295 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A

¥2.1753 

阶梯数 价格
70: ¥2.1753
100: ¥1.9357
300: ¥1.5332
500: ¥1.4566
1,000: ¥1.3991
2,040 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售