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PMPB10XNE,115  与  RF4E100AJTCR  区别

型号 PMPB10XNE,115 RF4E100AJTCR
唯样编号 A-PMPB10XNE,115 A-RF4E100AJTCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.4mΩ@10A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W(Tc)
输出电容 235pF -
栅极电压Vgs 0.65V,12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN-MD 8-PowerUDFN
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12.9A 10A(Ta)
输入电容 2175pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 18mΩ@2.5V,14mΩ@4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1460pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 4.5V
库存与单价
库存 270 48
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
10+ :  ¥2.1846
100+ :  ¥1.6182
1,000+ :  ¥1.2544
1,500+ :  ¥1.0282
3,000+ :  ¥0.9263
1+ :  ¥7.8889
100+ :  ¥4.5598
1,500+ :  ¥2.8909
3,000+ :  ¥2.0901
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB10XNE,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB10XNE_DFN-MD

¥2.1846 

阶梯数 价格
10: ¥2.1846
100: ¥1.6182
1,000: ¥1.2544
1,500: ¥1.0282
3,000: ¥0.9263
270 当前型号
AON2408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN2x2B

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
8 对比
PMPB10XNEZ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB10XNE_SOT1220

¥1.6182 

阶梯数 价格
580: ¥1.6182
1,000: ¥1.2544
1,500: ¥1.0282
3,000: ¥0.9263
0 对比
PMPB10XNEAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB10XNEA_SOT1220

¥1.8545 

阶梯数 价格
590: ¥1.8545
1,000: ¥1.4376
1,500: ¥1.1784
3,000: ¥1.0811
0 对比
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

暂无价格 100 对比
RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

¥7.8889 

阶梯数 价格
1: ¥7.8889
100: ¥4.5598
1,500: ¥2.8909
3,000: ¥2.0901
48 对比

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