PMPB11EN,115 与 RF4E110GNTR 区别
| 型号 | PMPB11EN,115 | RF4E110GNTR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMPB11EN,115 | A33-RF4E110GNTR-0 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 11.3mΩ@11A,10V | ||||||||||||
| 上升时间 | - | 5.5ns | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 2W | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.4nC | ||||||||||||
| 输出电容 | 155pF | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.5V,20V | ±20V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns | ||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 13A | 11A | ||||||||||||
| 系列 | - | RF4E110GN | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 输入电容 | 840pF | - | ||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 16.5mΩ@4.5V,14.5mΩ@10V | - | ||||||||||||
| 下降时间 | - | 3ns | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,490 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMPB11EN,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 1.5V,20V 30V 13A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON2420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2B N-Channel 30V 20V 8A 2.8W 11.7mΩ@10V |
￥3.0769
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4 | 对比 | ||||||||||||||
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AON2420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2B N-Channel 30V 20V 8A 2.8W 11.7mΩ@10V |
￥1.9609
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0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.4175
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.5573
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88 | 对比 |
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