PMPB15ENE 与 RF4E080GNTR 区别
| 型号 | PMPB15ENE | RF4E080GNTR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMPB15ENE | A33-RF4E080GNTR-0 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 17.6mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 3.6ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 5.8nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 17.3ns | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020MD‑6 | DFN2020-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 系列 | - | RF4E080GN | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 下降时间 | - | 2.4ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6.9ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,597 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMPB15ENE | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
DFN2020MD‑6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8173
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2,597 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.4175
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
￥2.7215
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2,040 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E070GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 21.4mΩ@7A,10V 150°C(TJ) HUML N-Channel 30V 7A |
暂无价格 | 160 | 对比 |
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