PMPB20EN,115 与 RF4E110GNTR 区别
| 型号 | PMPB20EN,115 | RF4E110GNTR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMPB20EN,115 | A3-RF4E110GNTR |
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 11.3mΩ@11A,10V |
| 上升时间 | - | 5.5ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 2W |
| Qg-栅极电荷 | - | 7.4nC |
| 输出电容 | 90pF | - |
| 栅极电压Vgs | 20V,1.5V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 21ns |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 10.4A | 11A |
| 系列 | - | RF4E110GN |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 435pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V | - |
| 下降时间 | - | 3ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 9ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 110 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMPB20EN,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 20V,1.5V 30V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDMA7632 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 19 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) 6-WDFN 裸露焊盘 N-Channel 30V 9A(Ta) 6-MicroFET(2x2) |
暂无价格 | 35,900 | 对比 | ||||||||||||||
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PMPB20ENZ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 20V,1.5V 30V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FDMA7632 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 19 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) 6-WDFN 裸露焊盘 N-Channel 30V 9A(Ta) 6-MicroFET(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.4175
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 |
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