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PMPB50ENEX  与  RF4E080GNTR  区别

型号 PMPB50ENEX RF4E080GNTR
唯样编号 A-PMPB50ENEX A3-RF4E080GNTR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.6mΩ
上升时间 - 3.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.0019W 2W
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
输出电容 58pF -
栅极电压Vgs 20V,1.5V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 17.3ns
正向跨导 - 最小值 - 5S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT1220 DFN2020-8
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6.9A 8A
系列 - RF4E080GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
输入电容 271pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 60mΩ@4.5V,43mΩ@10V -
下降时间 - 2.4ns
典型接通延迟时间 - 6.9ns
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
580+ :  ¥1.6058
1,000+ :  ¥1.2448
1,500+ :  ¥1.0203
3,000+ :  ¥0.9192
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB50ENEX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMPB50ENE_SOT1220

¥1.6058 

阶梯数 价格
580: ¥1.6058
1,000: ¥1.2448
1,500: ¥1.0203
3,000: ¥0.9192
0 当前型号
RF4E070BNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

HUML2020L8

暂无价格 12,000 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

¥4.7619 

阶梯数 价格
1: ¥4.7619
100: ¥2.7524
1,500: ¥1.745
3,000: ¥1.2616
100 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

¥4.5741 

阶梯数 价格
1: ¥4.5741
100: ¥2.6438
1,500: ¥1.6762
3,000: ¥1.2119
100 对比
RF4E080GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

DFN2020-8

暂无价格 100 对比
RF4E070GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML

暂无价格 100 对比

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