PMV100ENEAR 与 RSQ020N03TR 区别
| 型号 | PMV100ENEAR | RSQ020N03TR |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV100ENEAR | A3-RSQ020N03TR |
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 134mΩ@2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.46W | 600mW(Ta) |
| 输出电容 | 33pF | - |
| 栅极电压Vgs | 20V,1.5V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 工作温度 | 150°C | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3A | 2A(Ta) |
| 输入电容 | 160pF | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 100mΩ@4.5V,72mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3.1nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 200 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV100ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.46W 150°C 20V,1.5V 30V 3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥5.3794
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100 | 对比 | ||||||||||
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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