PMV280ENEAR 与 DMN10H700S-7 区别
| 型号 | PMV280ENEAR | DMN10H700S-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PMV280ENEAR | A-DMN10H700S-7 |
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PMV280ENEA Series 100 V 1.1 A SMT N-Channel Trench MOSFET - TO-236AB | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.7W | 400mW(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 700mΩ@1.5A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 235 pF @ 50 V |
| 输出电容 | 13pF | - |
| 栅极电压Vgs | 1.7V,20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 4.6 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 1.1A | 700mA(Ta) |
| 驱动电压 | - | 6V,10V |
| 输入电容 | 190pF | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 432mΩ@4.5V,385mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 10 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV280ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 0.7W 175°C 1.7V,20V 100V 1.1A SOT-23 车规 |
暂无价格 | 10 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RSR010N10HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
1A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 700mW(Ta) SC-96 150°C(TJ) 100V 车规 |
￥4.935
|
257 | 对比 | ||||||||||||
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AO3442 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 100V ±20V 1A 1.4W 630mΩ@1A,10V -55°C~150°C |
￥2.227
|
96 | 对比 | ||||||||||||
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DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 400mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 700mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 800mA 806mW 700mΩ 100V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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